RF4E110GNTR

Name: Rohm Semiconductor RF4E110GNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E110GNTR
Price: 0.17 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (116 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	RF4E110GNTR
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Datenblätte:	RF4E110GNTR.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2547 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerRF4E110GNTR
HerstellerLAPIS Semiconductor
BeschreibungMOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus2547 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse6-HUML2020L8 (2x2)
Serie-
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)2W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-PowerUDFN
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds504pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4nC @ 10V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C11A (Ta)
RF4E110GNTR Einzelheiten PDF [English]RF4E110GNTR PDF - EN.pdf

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